工艺指南
显示 ITO 蚀刻与图形化
ITO 是触控显示的核心透明导电膜，蚀刻需兼顾侧蚀控制与对基材/其他膜层的选择性。
1蚀刻体系
ITO（氧化铟锡 In₂O₃/SnO₂）为两性偏酸氧化物，常用酸系蚀刻（盐酸、草酸或改良混合酸），反应温和、侧蚀可控；也有专用 ITO 蚀刻液通过络合与缓冲把速率和均匀性调到产线窗口。碱系对玻璃与 ITO 均有侵蚀、侧蚀难控，一般不用于 ITO 精细图形。
2关键控制
温度直接影响蚀刻速率与 CD（线宽）：需恒温并控制时间以获得稳定侧蚀；蚀刻后需立即漂洗终止反应。同时要确保对光刻胶掩膜不侵蚀、对底下介质层（SiO₂/SiNₓ）选择性好，避免过蚀造成线宽漂移或断线。
3与制程的关系
ITO 图形化是触控/像素电极的关键；蚀刻后常需清洗去除残留与颗粒，再进入后续绝缘层/金属层。显示屏制程中的蚀刻、去胶、清洗、显影多道湿法工序需协同，任何一道的残留都会影响最终良率。