工艺指南
半导体晶圆清洗：RCA 与 SC1/SC2 体系
RCA 清洗是硅晶圆的工业标准湿法工艺，用 SC1 去除颗粒与有机物、SC2 去除金属离子，再配合兆声波提升良率。
1RCA 两步标准清洗
SC1（标准清洗1号，又称 APM：NH₄OH/H₂O₂/H₂O，典型 1:1:5）在 60-80°C 下通过氧化-溶解与表面轻度刻蚀去除颗粒和部分有机物；SC2（标准清洗2号，又称 HPM：HCl/H₂O₂/H₂O，典型 1:1:6）在 60-80°C 下强溶解金属离子并在表面形成钝化层。两步之间均需超纯水充分漂洗（≥18.2 MΩ·cm）。
2物理辅助：兆声波与超声
对亚微米颗粒，单靠化学液不足，需叠加兆声波（0.8-1.7 MHz）的声流与空化把颗粒从表面剥离；超声频率越低空化越强、但对图形损伤风险越高。精密图形（≤0.5μm）优先用高频率兆声波并控制功率，避免器件损伤。
3浴液寿命与安全
SC1/SC2 均为双组分（碱或酸 + 氧化剂）分装，现场混合会放热，必须现配现用并缓慢加入；工作液活性会随时间衰减，典型寿命 4-8 小时，超过需重配。混合顺序错误或超温会引发剧烈反应，属安全铁律。