Mo/Al 配线蚀刻液
显示模组蚀刻/剪薄

Cu-Mo1

Mo/Al 配线蚀刻液

铜制程 Mo/Al 配线蚀刻,4K2K 面板

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技术描述

Mo/Al 配线蚀刻液(Cu-Mo1)是圣普化学面向面板铜配线场景开发的蚀刻/剪薄产品——用于精密图形化加工的蚀刻/显影化学品。技术性能对标大信 Daxin / 帕卡 Mo/Al 配线蚀刻液,提供国产化替代方案。核心卖点:铜制程 Mo/Al 配线蚀刻,4K2K 面板。

主要适用材质/对象:面板铜配线。

服务于显示面板/模组制程的清洗、蚀刻与返修工序。

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产品简介

Cu-Mo1 是面向 TFT-LCD 阵列制程的 Mo/Al 配线蚀刻液(钼 / 铝),采用混合酸蚀刻方案——这是 Mo/Al 配线图形化的行业绝对主流路线,组分配比落在行业主流专利覆盖窗口内,工艺窗口成熟。产品通过钝化保护实现速率可控、以缓冲助剂调节侧蚀轮廓,兼顾蚀刻速率与线宽形貌,面向 4K2K 大尺寸面板铜制程的 Mo 阻挡层与铝配线蚀刻;Mo 阻挡层蚀刻使用同体系,速率由工作液浓度与温度微调。

核心价值:以成熟路线把蚀刻速率、侧蚀量与片内均匀性同时纳入可控范围,Al / Mo 速率比可按客户试片标定。

对标 大信 Daxin / 帕卡 Mo/Al 配线蚀刻液。

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产品用途

适用对象
项目说明
适用材质TFT-LCD 阵列 Mo/Al/Mo 配线与 Mo 阻挡层;铜制程面板 Mo 阻挡层
产品定位Mo/Al 配线图形化蚀刻液(混合酸体系)
适用工序
工序位置作用与目的
阵列制程配线蚀刻光阻图形化后浸泡 / 喷淋蚀刻,形成 Mo/Al 配线图形
Mo 阻挡层蚀刻同体系使用,速率由浓度与温度微调
4K2K 大尺寸面板面向铜制程的 Mo 阻挡层及铝配线蚀刻
蚀刻后漂洗纯水溢流漂洗去除残余盐分(防表面白霜),衔接去光阻
解决的核心问题

配线蚀刻的难点不在「蚀得动」,而在同时守住三件事:速率够快以满足产能;侧蚀量小以满足 CD 精度;铝与钼两层金属的蚀刻速率相互匹配以形成正确的布线剖面。铝配线与钼阻挡层膜厚相差数倍,速率不匹配会出现钼层残留或铝层过蚀。Cu-Mo1 以钝化保护控速 + 缓冲助剂调节轮廓,把这三件事放进同一套工作液窗口内。

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作用原理

作用说明
① 氧化作用提供蚀刻动力氧化作用先把金属转化为可溶态,再由酸性环境溶解带走,形成图形化
② 钝化保护实现速率可控钝化型保护组分在铝表面形成保护层,使蚀刻速率温和可控,抑制过蚀与边缘侧蚀
③ 轮廓调节 + 润湿均匀缓冲助剂改善侧蚀形貌;润湿助剂保证大面积蚀刻的片内均匀性
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技术参数

项目指标说明
体系类型混合酸蚀刻体系Mo/Al 配线行业主流路线
工作温度38 ~ 42 ℃(推荐 40 ℃)浸泡或喷淋
处理时间60 ~ 120 s(Al 0.2 ~ 0.4 μm 膜厚基准)按膜厚与标定速率取时间
蚀刻速率(Al)150 ~ 300 nm/min @ 40 ℃设计指标(试片 + 台阶仪)
蚀刻速率(Mo)120 ~ 250 nm/min @ 40 ℃设计指标
Al / Mo 速率比目标 0.8 ~ 1.2按客户试片标定(打样实测项)
侧蚀量< 0.5 μm(1 μm 线宽基准)显微镜量测
蚀刻均匀性片内 ± 5%膜厚分布测量
玻璃兼容周边无蚀刻区浸泡 10 min 无损伤、无发蒙目视 + 四探针
ITO 兼容周边如有暴露 ITO,须评估蚀刻损失按客户结构确认
残留控制漂洗后 P / Mo / Al 表面残留 < 1×10¹¹ atoms/cm²设计指标(TXRF)
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使用说明

工艺流程

光阻图形化(曝光显影完成) → Cu-Mo1 蚀刻:38 ~ 42 ℃ 浸泡或喷淋 60 ~ 120 s → 纯水溢流漂洗 5 min(充分去除残余盐分,防表面白霜) → 去光阻 → 检查:CD、侧蚀量、针孔、残留

使用要点
  • ·蚀刻时间请按试片标定的速率曲线取值,首次导入建议先标定「温度 - 浓度 - 速率」三者关系
  • ·漂洗必须充分(溢流 5 min)——残余盐分干燥后会形成表面白霜,被判为不良
  • ·周边若有暴露的 ITO 区域,须先评估蚀刻损失再确定工艺窗口(本品为酸性体系,对暴露 ITO 有攻击性)
  • ·Mo 阻挡层蚀刻使用同体系,速率由工作液浓度与温度微调
  • ·槽液按现场蚀刻量补液并定期检测有效浓度
使用要点

首次使用建议先小批量试产。

06

注意事项与安全

类别说明
⚠ 腐蚀性混合酸体系腐蚀性强,操作须穿戴护目镜与耐酸手套,避免皮肤与眼睛接触
不慎接触立即用大量清水冲洗至少 15 分钟并就医
通风要求作业区须通风,避免酸雾聚集
混存禁忌禁与有机物、还原性物质混存;远离热源
设备材质槽体、管路与夹具使用 PP / PTFE 类耐酸材质,严禁金属容器
废液处理含 Al / Mo 废液须合规处理排放,交有资质单位处置
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包装与储存

项目内容
储存条件密封、避光、阴凉处存放,远离热源
容器要求PP / HDPE 类耐酸容器,严禁金属容器
使用管理槽液按现场蚀刻量管理,定期检测有效浓度并补液
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产品优势

1

行业主流路线

Mo/Al 配线蚀刻的绝对主流方案,组分配比落在行业主流专利覆盖窗口内,导入风险低;

2

速率与形貌兼顾

钝化保护控速 + 缓冲助剂调节轮廓,兼顾蚀刻速率与线宽形貌(侧蚀量 < 0.5 μm);

3

大面积均匀性

保护组分与润湿助剂协同,面向 4K2K 大尺寸面板的片内均匀性 ±5%;

4

速率比可标定

Al / Mo 蚀刻速率比可按客户试片标定(打样实测项),并可在导入期配合完成速率曲线标定

声明 / Statement

本资料所载技术参数基于本公司内部测试与行业公开标准整理,实际使用效果受现场工艺条件影响,具体选型请以实测数据为准。

对标信息基于公开产品资料整理,仅用于说明产品定位,不构成对第三方产品的评价或比较结论。

产品安全与使用要求以随货提供的 MSDS 为准。

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