PR-N1

PR-N1 是面向先进封装 RDL（再布线）制程的光刻胶剥离液，用于 RDL 蚀刻 / 电镀后光刻胶的剥离（含硬化胶、等离子处理后残胶），亦适用于 TGV 玻璃基板光刻工序后段。产品为高纯强溶剂为主体的无水基体系：溶剂溶胀 + 断链组分协同剥离交联光刻胶，并以保护组分维护电镀铜层。技术由公司 ACF 去胶的成熟溶剂体系迁移而来，溶胀 + 断链机理同源；纯溶剂无水基路线对硬化胶的剥离力更强，也与行业经典剥离液体系（主溶剂 + 助溶 + 断链组分）的构成一致。

核心价值：把成熟去胶技术升级为电子级剥离液，以最短的验证周期切入先进封装制程。

对标 TOK / 飞凯同类光刻胶剥离液。

先进封装 RDL 的线宽与铜层厚度均大于前道，光刻胶在蚀刻、电镀与等离子处理后会被深度交联甚至碳化，形成「硬化胶」——常规水基去胶液对硬化胶剥离力不足，且水基环境会加剧电镀铜的腐蚀。PR-N1 采用纯溶剂无水基路线，剥离力强、对铜层温和；并针对剥离后溶解胶冷却再沉积这一行业常见缺陷，规定了溶剂过渡冲洗的强制工序。

RDL 蚀刻 / 电镀完成（或 TGV 光刻后段） → PR-N1 70 ~ 80 ℃ 浸泡 5 ~ 15 min（硬化胶加超声 3 ~ 5 min） → 立即以高纯醇类溶剂过渡冲洗（关键：带走溶解胶，冷却会再沉积） → DI 水冲洗 → 甩干 / 干燥 → 检查：残胶（SEM）、金属层、玻璃 / SiO₂ 无白雾

• ·剥离后必须先用醇类溶剂过渡冲洗，严禁直接进 DI 水——溶解胶遇水冷却会再沉积到图形上
• ·硬化胶（蚀刻 / 电镀 / 等离子处理后）建议加超声 3 ~ 5 min
• ·高温操作（70 ~ 80 ℃）必须在通风条件下进行，做好职业暴露防护
• ·产品属生殖毒性管控品类（CLP 1B），运输、存储与使用请遵 MSDS 指引
• ·槽液按剥离量补液，定期检测

首次使用建议先小批量试产。