技术描述
干蚀刻残渣去除液（DER-100）是圣普化学面向干蚀刻晶圆/基板场景开发的载具/晶圆产品——面向精密制程的清洗化学品。技术性能对标行业同类产品，提供国产化替代方案。核心卖点：干蚀刻/灰化后聚合物残渣高效去除。
主要适用材质/对象：干蚀刻晶圆/基板。
服务于半导体制造与先进封装产线的良率与洁净度需求。
产品简介
DER-100 是面向干蚀刻（RIE / ICP）与灰化（ashing）后晶圆及基板表面的残渣去除液，专为清除蚀刻工序遗留的氟碳聚合物残渣与金属氧化物微尘设计。 干蚀刻后的晶圆表面通常同时存在四类残留：① CₓFᵧ 氟碳聚合物（侧壁与底部沉积）；② TiN / Ta / W / Al 金属氧化物微尘；③ Cl⁻ / F⁻ 卤素残留；④ 灰化后碳化残膜。前两类靠"溶剂溶解 + 结合"去除，第三类必须能被彻底漂洗带走——这正是水基体系的价值所在。 DER-100 采用弱碱 + 高纯溶剂的水基体系，原液（RTU）直接使用，在 55–70 ℃ 下以浸泡、喷淋或超声方式处理 5–15 min，随后 DI 水漂洗。水基体系闭杯闪点高，70 ℃ 高温操作安全余量充足；体系对 Al / Cu 走线与低k 介质友好。对标日本化药 / Entegris 同类产品。
产品用途
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 适用对象 | 干蚀刻后的晶圆 / 基板 |
| 目标污垢 | CₓFᵧ 氟碳聚合物残渣、TiN / Ta / W / Al 金属氧化物微尘、Cl⁻ / F⁻ 卤素残留、灰化碳化残膜 |
| 产品形态 | 原液（RTU），无需稀释 |
| 设备 / 方式 | 适配说明 |
|---|---|
| 浸泡槽 | 55–70 ℃，5–15 min |
| 喷淋清洗机 | 55–70 ℃；低泡设计适配喷淋工况 |
| 超声清洗设备 | 残渣较重时 70 ℃ 超声 15 min |
| 兆声漂洗（可选） | 用于去除漂洗后残留微尘 |
| 旋转干燥 / N₂ 吹干 | 清洗后干燥衔接 |
蚀刻残渣中危害最大的是 CₓFᵧ 氟碳聚合物：它在侧壁形成致密沉积层，直接影响后续填孔与接触电阻；金属氧化物微尘与卤素残留则会造成界面污染与金属腐蚀。行业内的残渣去除有两条路线——强效的羟胺类体系与温和的胺 + 醇醚体系，DER-100 走温和路线，以"高纯溶剂溶解聚合物 + 离子控制组分组结合金属氧化物"为主攻手段，在保护 Al / Cu 走线与低k 介质的前提下完成去残渣。
作用原理
| 机制 | 说明 |
|---|---|
| ① 聚合物溶解 | 高纯溶剂体系渗透并溶解蚀刻工序留下的 CₓFᵧ 氟碳聚合物残渣 |
| ② 离子控制 | 离子控制组分结合 TiN / Ta / W / Al 金属氧化物带来的金属离子，避免其在表面再沉积 |
| ③ 材质保护与卤素带走 | 保护组分抑制 Al / Cu 走线在弱碱工作液中的腐蚀；水基体系配合 2–3 次漂洗把 Cl⁻ / F⁻ 卤素残留带离表面（清洗后 Cl⁻ / F⁻ < 10 ppb） |
技术参数
| 项目 | 指标 | 说明 |
|---|---|---|
| 体系 | 弱碱水基体系（原液直用） | 无需稀释配制 |
| pH 值 | 8.5 – 9.5 | 原液工作液 |
| 工作温度 | 55 – 70 ℃ | 浸泡 / 喷淋 / 超声 |
| 处理时间 | 5 – 15 min | 残渣重者 70 ℃ 超声 15 min |
| 闭杯闪点 | ≥ 60 ℃ | 水基体系，高温操作安全余量充足 |
| 泡沫高度 | < 80 mm | 罗氏泡沫仪 |
| 卤素残留 | Cl⁻ / F⁻ < 10 ppb | 漂洗后表面残留目标 |
| 金属腐蚀 | Al / Cu 箔 70 ℃×30 min 浸泡失重 < 0.02 mg/cm² | 材质兼容验收项 |
| 低k 介质兼容 | 浸泡 30 min k 值漂移 < 2% | 介质兼容验收项 |
使用说明
- 1原液直接使用（pH 8.5 – 9.5）
- 2浸泡 / 喷淋 / 超声 55 – 70 ℃，5 – 15 min
- 3（残渣重者：70 ℃ 超声 15 min）
- 4DI 水漂洗 2 – 3 次（快排 + 溢流）
- 5兆声漂洗（可选，去除微尘）
- 6旋转干燥 / 氮气吹干
- ·原液（RTU）直接使用，不需要稀释，工艺切换与补液管理简单
- ·温度与时间按残渣类型和厚度调整：轻度残渣可用 55 ℃ 短时处理，硬质氟碳聚合物残渣建议 70 ℃ 并用超声增强
- ·漂洗必须完成 2–3 次快排 + 溢流；对卤素残留敏感的工序建议追加兆声漂洗
- ·配料与储运环节仍应按可燃液体管理（产品含高纯溶剂组分）
首次使用建议先小批量试产，用真实蚀刻残渣片验证清洗效果与金属兼容性。
注意事项与安全
| 类别 | 说明 |
|---|---|
| 材质兼容 | 对 Al / Cu 走线与低k 介质友好（Al / Cu 箔 70 ℃×30 min 失重 < 0.02 mg/cm²、低k 介质浸泡 30 min k 值漂移 < 2% 为验收项）；高铝暴露面工序建议先做兼容性验证 |
| 工艺验证 | 首次使用须小批量试产，确认与现场设备及后续工序兼容 |
| 通风要求 | 高温操作与配料环节须保持通风 |
| 个人防护 | 佩戴防护手套与护目镜，避免长时间接触皮肤与眼睛 |
| 不慎接触 | 立即用大量清水冲洗至少 15 分钟并就医 |
| 废液处理 | 按当地环保法规处置 |
包装与储存
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 储存条件 | 室温、密封、避光 |
| 储存稳定性 | 50 ℃ 加速老化 30 天无分层、无变色 |
产品优势
去蚀刻残渣专项设计
同时针对 CₓFᵧ 氟碳聚合物、金属氧化物微尘与 Cl⁻ / F⁻ 卤素残留，清洗后 SEM 验收无聚合物残渣、卤素残留 < 10 ppb；
对敏感结构安全
Al / Cu 走线 70 ℃×30 min 浸泡失重 < 0.02 mg/cm²，低k 介质 k 值漂移 < 2%；
高温操作有安全余量
水基体系闭杯闪点 ≥ 60 ℃，70 ℃ 工艺温度运行安全；
原液直用
RTU 形态无需稀释配制，槽液管理与工艺切换简单，适合多品种混线生产
本资料所载技术参数基于本公司内部测试与行业公开标准整理，实际使用效果受现场工艺条件影响，具体选型请以实测数据为准。
对标信息基于公开产品资料整理，仅用于说明产品定位，不构成对第三方产品的评价或比较结论。
产品安全与使用要求以随货提供的 MSDS 为准。
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