技术描述
铜/钛种子层蚀刻液（SE-Cu1）是圣普化学面向玻璃基板种子层场景开发的蚀刻/显影产品——用于精密图形化加工的蚀刻/显影化学品。技术性能对标依托行业常见铜/钛种子层选择性蚀刻，提供国产化替代方案。核心卖点：TGV/RDL 种子层选择性蚀刻。
主要适用材质/对象：玻璃基板种子层。
服务于半导体制造与先进封装产线的良率与洁净度需求。
产品简介
SE-Cu1 是面向 TGV 与先进封装 RDL 制程的种子层选择性蚀刻液（单液），用于种子层溅射后去除非布线区的 Cu / Ti 金属层，为后续电镀铜填充清出洁净的玻璃表面。 产品采用「氧化 + 离子控制」选择性蚀刻体系：以氧化作用将金属铜转化为可溶态、由酸性环境溶解带走，同时以保护组分抑制图形侧壁的侧向蚀刻。该体系来自公司金属退镀 / 剥离技术（氧化 + 结合路线）的迁移，属于已验证的技术底子，而非新开发方向。
核心价值：种子层选择性蚀刻以「侧蚀控制 + 玻璃本体零损伤 + 蚀刻终点可控」为三项设计重点，直接对应 RDL 细线化的关键尺寸要求。
对标 芝普 UBM / 种子层蚀刻系列。
产品用途
| 项目 | 说明 |
|---|---|
| 适用材质 | 玻璃基板（TGV / 玻璃芯载板）上的 Cu / Ti 种子层 |
| 工艺环节 | 种子层溅射后、电镀铜填充前的选择性蚀刻 |
| 处理对象 | 非布线区 Cu / Ti 金属层；同时可作为电镀前的表面微粗化处理 |
| 产品定位 | 种子层选择性蚀刻液（单液，图案化去金属） |
种子层溅射为整面成膜，必须把非布线区域的 Cu / Ti 全部去除、又不损伤已图形化的线路与玻璃本体。湿法蚀刻天然各向同性，侧蚀与「蚀不净」是一对矛盾：蚀刻不足会残留金属造成短路，蚀刻过量则线宽损失、玻璃受损。SE-Cu1 以保护组分侧壁钝化压缩侧向蚀刻，并把终点控制（蚀净即停）作为工艺设计的一部分，让批量生产的图形一致性可控。
作用原理
| 作用 | 说明 |
|---|---|
| ① 氧化 + 酸溶去除金属 | 氧化作用先把 Cu 转化为可溶态，酸性环境随即溶解带走，并防止金属离子水解钝化、保持蚀刻持续 |
| ② 保护组分控侧蚀 | 保护组分在图形侧壁与已成型线路表面优先吸附，抑制侧向蚀刻速率，把线宽损失控制在工艺公差内 |
| ③ 离子控制 + 终点可控 | 离子控制组分结合溶出的金属离子、防止其在蚀净区再沉积；蚀净后玻璃呈透明状态，便于目视与电学双重终点判定 |
技术参数
| 项目 | 指标 | 说明 |
|---|---|---|
| 体系类型 | 氧化 + 离子控制选择性蚀刻体系（酸性） | 单液，原液使用 |
| 适用膜层 | 种子层 Cu / Ti（非布线区去除） | — |
| 工艺环节 | 种子层溅射后、电镀铜填充前 | TGV / RDL |
| 处理方式 | 浸泡 / 喷淋 | 视设备条件选择 |
| 侧蚀控制 | 以侧蚀控制为核心设计目标，控制 CD 偏差 ≤ ±10% | 湿法各向同性下的侧壁保护 |
| 对基材选择性 | 对玻璃本体零损伤、称重无失重（设计目标） | 去金属不去玻璃 |
| 蚀刻终点 | 目视（蚀净见玻璃）+ 电阻/电位终点检测，蚀净即停 | 过蚀刻从紧控制 |
| 掩模兼容 | 光刻胶掩模，不溶胀、不脱落（设计目标） | 建议先做兼容性验证 |
使用说明
- 1种子层溅射（Ti / Cu 整面成膜）
- 2光刻 / 掩模图形化
- 3SE-Cu1 选择性蚀刻（浸泡 / 喷淋，蚀净即停）
- 4去离子水冲洗 ×3
- 5干燥 → 电镀铜填充
- ·蚀刻终点以目视 + 电学终点双重判断，见玻璃即停，避免过蚀刻扩大侧蚀
- ·蚀刻后须以去离子水充分冲洗，把溶出的金属离子彻底带走，防止残液在后续工序中造成污染
- ·体系的氧化作用会随存放与使用消耗，建议按现场批次管理、定期补加或换槽
- ·该体系与同系列成套产品（SE-UBM）技术同源，可根据客户对 Cu/Ti 分层蚀刻或单液蚀刻的工艺偏好选型
首次使用建议先小批量试产，确认与现场掩模材料、设备材质及后续电镀工序的兼容性。
注意事项与安全
| 类别 | 说明 |
|---|---|
| 材质安全 | 对玻璃本体为「零蚀刻」设计取向；对金属掩模/设备部件需先确认兼容性 |
| 强酸操作 | 酸性体系，稀释与配液务必「酸入水」并搅拌散热，禁止「水入酸」 |
| 氧化性体系 | 含强氧化性组分，须避光、低温、密封储存，禁止与有机物、金属粉末混存 |
| 个人防护 | 佩戴耐酸手套、护目镜与防溅面罩，保持操作区通风 |
| 不慎接触 | 立即用大量清水冲洗至少 15 分钟并就医 |
| 废液处理 | 含金属离子废液按当地环保法规处置，禁止直排 |
包装与储存
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 储存条件 | 室温、密封、避光 |
| 容器要求 | 建议使用 PP / PE 类容器，避光密封保存 |
| 使用期限 | 开盖后按现场批次使用；氧化性体系建议在有效期内用完 |
产品优势
技术同源、验证周期短
来自公司金属退镀 / 剥离（氧化 + 结合）成熟技术迁移，不是从零开发的新体系；
侧蚀可控
以保护组分压缩侧向蚀刻，CD 偏差控制目标 ≤ ±10%，适配细线化 RDL；
基材友好 + 终点清晰
以「去金属不去玻璃」为设计取向，玻璃本体无失重、无损伤；蚀净后玻璃透明可视，配合电学终点检测双通道判定，利于批量稳定生产；
工序衔接
与 SE-UBM 成套蚀刻、TGV 清洗系列同属先进封装化学品拼图，可成套导入
本资料所载技术参数基于本公司内部测试与行业公开标准整理，实际使用效果受现场工艺条件影响，具体选型请以实测数据为准。
对标信息基于公开产品资料整理，仅用于说明产品定位，不构成对第三方产品的评价或比较结论。
产品安全与使用要求以随货提供的 MSDS 为准。
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