ET-W

ET-W 是面向钨（W）与钛钨（TiW）金属层的蚀刻产品，采用碱性氧化体系（工作液 pH ≈ 8.8）：以氧化作用把金属钨转化为可溶的钨酸根形态，碱性介质同时提供钨酸盐溶解的最佳环境。 产品明确不采用含氰类蚀刻体系——传统氰化物路线毒性高、废液处理困难、职业健康风险大，已不符合现代封测厂的合规要求。ET-W 以氧化作用 + 碱性介质 + 离子控制三元组合替代该路线，并保持稳定的量产蚀刻速率。

核心价值：在主流蚀刻性能与「不含氰类体系」的安全合规之间取得平衡，核心组分为大宗成熟原料，供应稳定性最好的一支产品。

钨和钛钨常温下化学惰性强，难点在于「溶解态窗口窄」——只有特定碱性环境下钨酸盐才稳定溶解，偏离则出现溶解不完全、残留或再沉积。ET-W 以碱性介质维持溶解窗口、以离子控制组分锁定溶出产物，使速率与终点稳定可判，同时回避含氰路线的安全与环保负担。

30 – 40 ℃（推荐 35 ℃）浸泡 + 搅拌 / 喷淋，钨 0.3 μm 层 1 – 2 min → 蚀净目视见底层 → 立即去离子水溢流冲洗 ×3 → 甩干 / 氮气吹干

• ·搅拌或喷淋是必须条件：碱性氧化过程会产气，气泡附着会造成蚀刻不均，无搅拌产线须先验证均匀性
• ·液温建议 ≤ 40 ℃，温度过高会加速氧化作用组分的分解
• ·蚀刻后必须立即水洗——碱性残留会损伤光刻胶与绝缘层
• ·工作液配制后 7 天内用完，超期氧化作用活性下降、速率不可控
• ·铝共存结构禁用本品（会蚀刻铝），含铝结构请改用不含碱性氧化路线的体系
• ·容器建议留排气空间，避免产气造成憋压

首次使用建议先小批量试产，确认与现场设备、掩模及后续工序的兼容性。