清洗效果对比
划片后硅片表面对比照
- 对照组（未用划片液）：表面粉尘堆积、划道不清，残留可能影响后道（黏合/分层风险）。
- 使用 SEM-1000：划道清晰、表面洁净无尘，显微无颗粒，清洗分散性佳。
技术描述
SEM-1000 是圣普化学面向半导体晶圆与先进封装高精度划片研发的新一代半导体划片液。它以“清洗、润滑、防腐蚀、冷却”四效协同为基础：高效表面活性剂能快速润湿并吸附、分散划片产生的微米级硅/硬脆碎屑，防止其二次附着划伤已划表面；优异的润湿铺展能力在刀片与晶圆界面形成连续润滑膜，降低切削摩擦，减少崩边、微裂与刀痕，助力良率与外观。配方引入专用复合缓蚀体系，可在金属布线及焊盘表面形成电化学钝化保护，兼顾清洗与防腐蚀。
使用上按去离子水稀释，推荐浓度约 1:300，可根据产线水量、划片速度与基材在 1:100–1:500 范围内调整，并监测稀释液电导率(<150µS/cm)确保高洁净工况稳定；划片机喷淋或浸泡漂洗均适用。稀释液近中性、低离子残留，冲净后晶圆表面洁净、膜屑与金属玷污少，配合后道清洗可满足先进封装对洁净度的要求。
该产品已在多家半导体及先进封装划片应用产线完成多批次验证，可随产线工艺定制浓度与包装，支持国产化稳定供应。
00
划片工艺为什么需要专用划片液
划片是封装的关键工序。随着线宽变小、晶圆更薄，高速刀片切割带来的颗粒、热量与应力成为三大工艺挑战。
01
颗粒污染
切割产生的微米级硅粉易粘附晶圆表面，残留会导致失效或可靠性下降。
02
热损伤与应力
刀片高速旋转产生局部高温与机械应力，可能引发微裂纹、分层等不可逆损伤。
03
金属腐蚀风险
晶圆表面金属布线在加工水中易发生电化学腐蚀，断线并显著降低良率。
划片液由此承担核心角色：高效冷却 · 润滑 · 清洗与防腐蚀四效一体，是精度制程的品质保证。
A
新一代高效划片液解决方案
SEM-1000 面向晶圆高精度划片，以先进表面活性剂与功能助剂提供“清洗+润滑+防锈防腐蚀”一站式方案，为精密制造带来良率与品质承诺。
提升良率
强清洗与润滑降低微裂纹与残留颗粒风险
品质保障
长效防腐，恶劣工况防电化学腐蚀、表现稳定
综合降本
配方科学、使用效率高，摊薄综合成本
简便易用
稀释即可，快捷导入现有产线、兼容性好
B
四大技术优势
01
优异清洗分散
高效表面活性剂降低表面张力，快速渗入切割区并包裹硅粉，防止其在切割路径上再沉积。
02
优良润湿与润滑
在刀片/晶圆界面快速成保护膜，减小摩擦，显著降低晶圆边缘损伤与微裂纹。
03
出色防腐蚀
内置复合缓蚀剂优先吸附金属表面，阻断水汽与氧接触，打断电化学腐蚀通路。
04
低电导 · 高安全
稀释后工作液电导稳定<150 µS/cm，最大化降低腐蚀风险，给精密芯片额外安全。
C
真实产线 · 长期验证
SEM-1000 已在多家半导体与先进封装划片产线经数年连续批产验证，完成从实验室到大批量工业产线的关键一跃。
长期稳定
大批量连续生产下性能始终如一，验证期内无因本品导致的品质波动或产线异常停机。
客户认可
通过严格的供应商准入与批次检验，持续监控表现优异，成为划片液核心稳定供应商。
批产检验
不仅通过实验室标准，更在复杂真实的工业批产环境中验证了工艺兼容与实用价值。
01
技术参数
| 外观 | 清澈至微浑浊的液体（25 ℃） |
| 密度 | ≈1.0 g/cm³ (25 °C) |
| 电导率（1:200 去离子水稀释） | < 150 µS/cm |
| 推荐稀释比 | 1:300（纯水/去离子水） |
| 核心作用 | 润湿降张 · 防腐蚀 · 分散硅粉，综合提升划片良率与外观 |
| 标准包装 | 1 gal（≈3.78 L）桶 / 1000 kg IBC，支持定制 |
| 有效期 | 90 天（密封、阴凉干燥储存） |
02
性能验证
腐蚀与相容性测试
浸泡前/8 h 显微对照
- 条件：芯片以 1:500 稀释液浸泡 8 h（模拟极端长时接触）。
- 结果：金属线路、焊盘与基板洁净完好，无点蚀、氧化或损伤，浸泡前后显微一致。
03
应用指南 · 包装与服务
推荐使用方法
稀释：以去离子水按比例稀释（推荐 1:300）并搅匀，避免局部浓度差。
搅拌：机械或磁力搅拌混匀后使用。
喷淋与维护：经划片机喷淋系统使用；每日核查浓度与洁净度，定期更换保持性能。
包装规格
标准包装：密封 1 gal（≈3.78 L）塑料桶 · 研发与小批量
工业包装：1000 kg 标准 IBC · 大批量，降物流与运营成本
定制服务：5 gal / 200 L 等可依产线储运需求定制
技术咨询 · 免费样品测试 · 售后支持
产品简介
新一代半导体晶圆划片液（SEM-1000）是圣普化学面向半导体晶圆与先进封装高精度划片/切割(含硬脆材料)，亦用于划片后段漂洗开发的载具/晶圆产品。产品核心优势：清洗·润滑·防腐蚀·冷却 四效合一，针对硬脆材料高精度划片，抑崩边、护布线与焊盘、易冲洗。技术上对标对标国内外主流半导体划片液，配套去离子水稀释的高洁净低离子体系，提供国产化替代选择。产品特点：界面活性剂强润湿降表面张力，吸附并悬浮分散微米级芯片碎屑，防二次附着划伤；在刀片-晶圆界面铺展成膜，显著降低摩擦与微裂/崩边；划片后残渣易被去离子水冲净，表面洁净光洁；复合缓蚀剂对金属布线与焊盘形成电化学钝化保护，浸泡不腐蚀；稀释后近中性、低离子，适配高洁净划片环境。适用材质：晶圆/芯片(硅及化合物半导体)、金属布线/焊盘。典型工艺：按去离子水稀释使用，推荐 1:300 起按工艺调整并监控稀释液电导(<150µS/cm)；划片机喷淋/漂洗，可常温使用；密封、阴凉、避光，启封后按需配液。
产品参数速览
对标竞品
对标国内外主流半导体划片液，配套去离子水稀释的高洁净低离子体系
适用场景
半导体晶圆与先进封装高精度划片/切割(含硬脆材料)，亦用于划片后段漂洗
适用材质
晶圆/芯片(硅及化合物半导体)、金属布线/焊盘
产品特点
界面活性剂强润湿降表面张力，吸附并悬浮分散微米级芯片碎屑，防二次附着划伤；在刀片-晶圆界面铺展成膜，显著降低摩擦与微裂/崩边；划片后残渣易被去离子水冲净，表面洁净光洁；复合缓蚀剂对金属布线与焊盘形成电化学钝化保护，浸泡不腐蚀；稀释后近中性、低离子，适配高洁净划片环境
工艺参数与使用说明
按去离子水稀释使用，推荐 1:300 起按工艺调整并监控稀释液电导(<150µS/cm)；划片机喷淋/漂洗，可常温使用；密封、阴凉、避光，启封后按需配液
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