钼蚀刻液
半导体及封装蚀刻/显影

ET-Mo

钼蚀刻液

Mo 互连新型金属蚀刻,下一代制程卡位

立即询盘 →电话咨询

技术描述

钼蚀刻液(ET-Mo)是圣普化学面向先进封装/晶圆场景开发的蚀刻/显影产品——用于精密图形化加工的蚀刻/显影化学品。技术性能对标关东化学,提供国产化替代方案。核心卖点:Mo 互连新型金属蚀刻,下一代制程卡位。

主要适用材质/对象:先进封装/晶圆。

服务于半导体制造与先进封装产线的良率与洁净度需求。

01

产品简介

ET-Mo 是面向钼(Mo / MoN)互连金属层的蚀刻产品,采用行业经典的 PAN 型钼蚀刻工艺路线:以氧化作用把金属钼氧化,再经酸溶转化为可溶钼盐,由溶液带走完成图案化。 产品提供两条路线:主体系为经典 PAN 型工艺路线,蚀刻速率高、工艺窗口成熟;备选体系为温和氧化型,专为含铝的复合结构(如 Mo/Al/Mo 三层配线)设计——主体系会蚀刻铝,含铝结构必须选用兼容型路线。

核心价值:双路线覆盖——既满足高产能的钼互连蚀刻,也能安全处理含铝复合结构,避免「一副体系打天下」的结构性风险。

02

产品用途

适用对象
项目说明
适用材质SiO₂ / 玻璃 / SiN 基材上的 Mo、MoN 膜层
适用结构钼互连布线、Mo/Al/Mo 三层结构中的钼层
掩模兼容光刻胶掩模
产品定位钼蚀刻液(主体系 + 温和备选体系)
工艺环节
环节说明
金属层图案化先进封装 RDL 钼布线、TFT 钼电极图案化蚀刻
三层结构Mo/Al/Mo 结构中的钼层蚀刻(须选用温和备选体系)
解决的核心问题

钼蚀刻的难点在于「氧化容易、溶解难」——仅靠氧化会在表面堆积不溶氧化物而自停止。ET-Mo 以氧化 + 酸溶两步协同解决;同时针对业界大量存在的含铝复合结构,单独提供一条对铝温和的路线,避免钼层蚀净的同时把铝配线一并蚀掉。

03

作用原理

作用说明
① 氧化 + 酸溶转化氧化作用把钼转化为氧化物,随即由酸性介质溶解为可溶钼盐,避免不溶产物在表面堆积造成蚀刻自停止
② 缓冲组分稳定速率缓冲组分抑制氧化作用组分的分解、稳定蚀刻速率,并压缩侧向蚀刻,使图形边缘整齐
③ 离子控制防再沉积离子控制组分结合已溶解的钼离子,防止其在蚀净区或槽液中析出、再沉积到基片表面
04

技术参数

项目指标说明
体系类型主体系:经典 PAN 型工艺路线;备选体系:温和氧化型双路线
工作温度主体系 30 – 40 ℃;备选体系 30 ℃—
蚀刻速率主体系 200 – 400 nm/min @ 30 – 40 ℃;备选体系 50 – 150 nm/min @ 30 ℃—
处理时间主体系 1 – 2 min(0.5 μm 钼层);备选体系 3 – 10 min蚀净即停
均匀性片内 ±5%(9 点量测)需搅拌 / 摇晃
侧蚀≤ 膜厚(湿法各向同性),过蚀刻 ≤10%—
对基材选择性SiO₂ / SiN / 玻璃零蚀刻(称重无失重)—
铝兼容性主体系会蚀铝(含铝结构禁用);备选体系对铝基本不蚀Mo/Al/Mo 结构必选备选体系
05

使用说明

工艺流程

主体系(不含铝结构): 30 – 40 ℃ 浸泡(搅拌 / 摇晃)1 – 2 min(0.5 μm 钼层) → 蚀净目视见底层 → 立即去离子水溢流冲洗 ×3 → 50 ℃ 热水快洗(去除酸残留)→ 去离子水冲洗 → 甩干 备选体系(含铝结构): 30 ℃ 浸泡 3 – 10 min(加搅拌)→ 同上水洗流程

使用要点
  • ·含铝结构必须选备选体系:主体系在含铝复合结构中会蚀刻铝层,属结构性禁忌,不可通过缩短时间规避
  • ·蚀刻后必须彻底水洗,并加一道 50 ℃ 热水快洗——酸残留会腐蚀后续功能层、影响附着力
  • ·液温不得超过 50 ℃,否则蚀刻速率失控、槽液黏度进一步升高
  • ·主体系黏度高,建议浸泡 + 搅拌/摇晃;若走喷淋线需确认设备压力与喷嘴适应性
  • ·建议使用非金属材质槽体与容器(金属件易被侵蚀)
使用要点

首次使用建议先小批量试产,确认与现场掩模及后续工序的兼容性。

06

注意事项与安全

类别说明
结构禁忌主体系禁用于含铝结构(会蚀铝);含铝结构请选用温和备选体系
废气管控蚀刻过程会产生氮氧化物类废气,必须在通风橱 / 排风条件下操作
设备兼容禁用金属容器与金属管线(不锈钢、铝等均会被侵蚀),建议 PP / PTFE 类材质
强酸防溅强酸性体系,配液与稀释务必「酸入水」,全程佩戴面罩与耐酸手套
温度上限液温不得超过 50 ℃(速率失控 + 黏度残留)
不慎接触立即用大量清水冲洗至少 15 分钟并就医
废液处理含酸与金属离子废液,按当地环保法规处置,禁止直排
07

包装与储存

项目内容
储存条件室温、密封、避光
容器要求建议使用 PP / PTFE 类非金属容器,避光密封保存
使用期限开盖后按现场批次使用,避免长时间敞口与高温存放
08

产品优势

1

双路线覆盖

主体系与温和备选体系并行供应,含铝结构不再被排除在钼蚀刻应用之外;

2

工艺窗口对标行业主流

主体系浓度窗口经过专利文献交叉比对,与行业主流工艺区间一致;

3

选择性清晰

对 SiO₂ / SiN / 玻璃零蚀刻,蚀刻后以目视即可判定终点;

4

量产成熟度高

核心组分为大宗成熟原料,供应链稳定;对标关东化学钼蚀刻系列,本地化响应更快

声明 / Statement

本资料所载技术参数基于本公司内部测试与行业公开标准整理,实际使用效果受现场工艺条件影响,具体选型请以实测数据为准。

对标信息基于公开产品资料整理,仅用于说明产品定位,不构成对第三方产品的评价或比较结论。

产品安全与使用要求以随货提供的 MSDS 为准。

需要样品或技术资料?

联系我们获取 ET-Mo 的详细参数、MSDS 与样品支持

联系销售

相关指南

需要技术支持或样品?

把您的基材、污染物与工艺条件告诉我们,工艺工程师将给出选型建议并安排样品验证。

联系工艺工程师
联系电话
+86 769-82786068
官方网站
www.sempurion.com
公司地址
广东 · 东莞 · 松山湖

同线相关产品