技术描述
钛蚀刻液（ET-Ti）是圣普化学面向先进封装种子层场景开发的蚀刻/显影产品——用于精密图形化加工的蚀刻/显影化学品。技术性能对标关东化学，提供国产化替代方案。核心卖点：1μm 细线高纯钛蚀刻，侧蚀 <0.3μm。
主要适用材质/对象：先进封装种子层。
服务于半导体制造与先进封装产线的良率与洁净度需求。
产品简介
钛蚀刻液（ET-Ti）是圣普化学面向先进封装种子层开发的蚀刻/显影产品。产品核心优势：1μm 细线高纯钛蚀刻，侧蚀 <0.3μm。技术上对标关东化学，提供国产化替代选择。产品特点：蚀刻速率经精心调控（60-120 nm/min@30°C）以控制细线侧蚀（0.5μm 膜侧蚀 ≤0.3μm），对 SiO₂/玻璃选择性 >100:1，SiN >50:1，光刻胶不蚀。典型工艺：25-35°C（推荐 30°C 恒温）浸泡/喷淋蚀刻，钛 500nm 膜 4-8min（终点电位跳变即停，过蚀刻 ≤10%），DI 水溢流冲洗 → 稀酸快洗 → DI 冲洗 ×3。
产品参数速览
对标竞品
关东化学
适用场景
先进封装种子层
适用材质
先进封装种子层
产品特点
蚀刻速率经精心调控（60-120 nm/min@30°C）以控制细线侧蚀（0.5μm 膜侧蚀 ≤0.3μm），对 SiO₂/玻璃选择性 >100:1，SiN >50:1，光刻胶不蚀
工艺参数与使用说明
25-35°C（推荐 30°C 恒温）浸泡/喷淋蚀刻，钛 500nm 膜 4-8min（终点电位跳变即停，过蚀刻 ≤10%），DI 水溢流冲洗 → 稀酸快洗 → DI 冲洗 ×3
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