DBL-100

DBL-100 是面向晶圆划片（dicing）与减薄工序后的蓝膜 / UV 膜残胶清除专用清洗剂。 蓝膜与 UV 膜虽然用途不同（蓝膜用于划片固定，UV 膜用于减薄 + 划片、UV 照射后粘性骤降），但两者的胶层都是丙烯酸类压敏胶。晶圆在划片、扩片、拾取过程中，压敏胶会在晶圆背面与芯片表面留下残胶，残胶会带来外观不良、后续贴装与键合失效。 芯片（含铝焊盘、铜引线）与玻璃基材的关键差别在于不耐强碱：铝焊盘在 pH 9 即开始腐蚀、pH 11 快速腐蚀；铜引线在 pH 10 氧化加速；钝化层（Si₃N₄ / SiO₂）在 pH 12 下会缓慢蚀刻。因此 DBL-100 不走强碱水解路线，而是采用溶剂溶解 + 表面活性体系乳化的弱碱温和体系，在去除丙烯酸类压敏胶残胶的同时守住芯片的金属安全边界。

划片后残胶的产生并非偶然，典型成因包括：① 贴膜时间过长——压敏胶与晶圆背面界面分子链扩散缠结，剥离力随时间上升；② 划片应力过大——刀片侧向力造成胶层内聚破坏；③ 划片水温偏高——水温超过约 30 ℃ 时胶层软化、内聚力下降；④ 晶圆背面为镜面抛光面——与胶层接触面积大、剥离更难；⑤ UV 膜照射能量不足（如低于约 300 mJ/cm²）——胶层交联不充分、粘性降不下来；⑥ 蓝膜存放超过约 6 个月——胶层性能衰减。 这些成因决定了清洗剂必须同时具备"溶解丙烯酸类压敏胶的能力"与"对芯片金属的安全边际"，而后者排除了行业里最常用的强碱路线。

9 腐蚀）与铜引线（pH 10 氧化加速）的腐蚀边界之外 |

• ·采用浸泡或超声波清洗 3–10 min，超声可提升残胶剥离均匀性
• ·充分漂洗是芯片级洁净度的关键：离子残留目标 < 1.5 μg/cm²，漂洗不彻底会直接拉低后续键合 / 贴装良率

严禁以强碱体系替代：铝焊盘在 pH 9 即受腐蚀、铜引线在 pH

• ·10 氧化加速，强碱路线不适合本应用
• ·工艺端建议同步控制残胶成因——控制贴膜存放时间（蓝膜存放不超过约 6 个月）、控制划片水温（避免超过约 30 ℃）、确保 UV 照射能量充足

首次使用建议先小批量试产，确认与芯片表面、钝化层及后续工序的兼容性。

9 腐蚀）与铜引线（pH 10 氧化加速）的腐蚀边界；不同钝化层结构建议先做兼容性验证 |