RDL 显影液
半导体及封装蚀刻/显影

RD-D1

RDL 显影液

RDL 制程显影,封装级标准显影体系

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技术描述

RDL 显影液(RD-D1)是圣普化学面向先进封装 RDL场景开发的蚀刻/显影产品——用于精密图形化加工的蚀刻/显影化学品。技术性能对标TOK/帕卡,提供国产化替代方案。核心卖点:RDL 制程显影,封装级标准显影体系。

主要适用材质/对象:先进封装 RDL。

服务于半导体制造与先进封装产线的良率与洁净度需求。

01

产品简介

RD-D1 是面向先进封装 RDL(再布线)制程的光刻胶显影液,采用封装级标准显影浓度——有效浓度 2.38%(控制精度 ±0.02%),与 AZ 300 MIF、TOK NMD-3 等进口主流显影液属于同一行业事实标准,客户无需调整工艺参数即可切换,客户零改动、零重新验证。 产品为无金属离子(MIF)体系:钠、钾、铁等金属离子各控制在 < 0.5 ppm。钠钾离子迁移进器件会造成漏电,这是显影液最核心的验收红线。

核心价值:浓度与行业标准完全对齐、纯度按电子级管控——让客户「换供应商不换工艺,只换更近的供货」。

对标 TOK / 帕卡 同类显影液。

02

产品用途

适用对象
项目说明
适用制程先进封装 RDL 再布线(TGV / 玻璃基板制程的显影环节)
适用胶种正性光刻胶(膜厚 2 – 10 μm)
适用设备浸泡式显影机、喷淋式显影机
产品定位封装级标准浓度显影液(无金属离子 MIF)
工艺环节
环节说明
显影曝光后显影,形成 RDL 图形(决定性环节:CD 关键尺寸)
解决的核心问题

显影是把曝光图形「翻译」成实际线宽的一步:浓度偏差、温度波动与残留任一失控,都会直接反映为 CD 偏差与残膜、浮渣。RD-D1 把浓度锁定在行业标准值(±0.02%)、按电子级管控金属离子、以微量表面活性体系改善细线润湿、以非硅消泡设计保证喷淋不溢泡。

03

作用原理

作用说明
① 选择性溶解曝光区有机碱性显影体系与曝光区胶层反应溶解,未曝光区几乎不溶(失重 < 2%),形成高对比度图形
② 表面活性体系润湿细线微量表面活性体系降低工作液表面张力,使药液进入细线间隙,防止显影残留与浮渣
③ 非硅消泡 + MIF 纯度非硅消泡设计避免硅残留污染器件,同时适配喷淋显影;无金属离子(MIF)体系杜绝钠钾离子迁移导致漏电
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技术参数

项目指标说明
有效浓度2.38%(控制精度 ±0.02%)与行业事实标准一致
pH 值≈ 13碱性体系
工作温度23 ± 0.5 ℃ 恒温温度敏感:±1 ℃ 显影速率变化约 3%
处理时间浸泡式 60 – 120 s;喷淋式 30 – 60 s(低压喷淋)依胶种与膜厚由 CD 实测确定
CD 均一性片内 ±5%CD-SEM 量测
显影速率与进口同类产品同条件对比 ±10% 以内可直接置换
金属离子Na⁺ / K⁺ / Fe³⁺ 各 < 0.5 ppm无金属离子(MIF)体系
未曝光区胶膜失重 < 2%(曝光区完全溶解)高对比度
残膜 / 浮渣无显微镜检查
泡沫喷淋 3 min 泡沫高度 < 5 mm适配喷淋显影
05

使用说明

工艺流程

23 ± 0.5 ℃ 恒温显影 · 浸泡式:60 – 120 s(依胶种 / 膜厚) · 喷淋式:30 – 60 s + 低压喷淋 → 立即去离子水冲洗(终止显影) → 甩干 → 检查 CD / 残膜 / 浮渣

使用要点
  • ·温度必须恒温控制:23 ± 0.5 ℃ 是显影速率稳定的前提,±1 ℃ 即带来约 3% 的速率偏差
  • ·显影后立即以去离子水冲洗终止反应,停留会造成过显影与线宽损失
  • ·浸泡与喷淋的时间窗口不同,切换设备形态时须重新由 CD 实测定标
使用要点

药液按批次管理,关注有效浓度与金属离子含量变化;本品按剧毒化学品管理(见下节),现场须落实双人双锁与操作台账;首次使用建议先小批量试产。

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注意事项与安全

类别说明
🔴 剧毒警示本品经皮吸收剧毒(大鼠经口 LD₅₀ 约 25 mg/kg,行业已有多起误触致死案例),原液与工作液同按剧毒品管控
操作防护必须佩戴耐碱手套、护目镜与防溅面罩,在通风条件下操作
管制要求建议实行双人双锁、领用台账管理,作业区设置警示标识
误触处理皮肤接触立即用大量清水冲洗至少 15 分钟并就医;衣物污染立即脱除
储存禁忌禁止与酸类物质混存(会剧烈放热)
废液处理中和后按危险废物处置,禁止直排
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包装与储存

项目内容
储存条件室温、密封、避光
管制存放按剧毒化学品规范存放(专柜 / 专库、双人双锁、领用台账)
使用期限开盖后按现场批次使用,避免长时间敞口
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产品优势

1

零工艺改动

有效浓度 2.38%(±0.02%)与行业事实标准完全一致,客户无需重新调机、无需重做 CD 基准;

2

纯度红线可控

Na⁺ / K⁺ / Fe³⁺ 各 < 0.5 ppm 的无金属离子(MIF)体系,直击钠钾迁移致漏电的封装红线;

3

工艺一致性好

片内 CD ±5%,与进口同类产品同条件显影速率偏差在 ±10% 以内;

4

残留与泡沫双控 + 合规配套

细线润湿防残留、非硅消泡设计适配喷淋并避免硅残留污染;产品按剧毒品规范管理供货,可提供 MSDS 与管制配套建议,降低客户 EHS 合规风险

声明 / Statement

本资料所载技术参数基于本公司内部测试与行业公开标准整理,实际使用效果受现场工艺条件影响,具体选型请以实测数据为准。

对标信息基于公开产品资料整理,仅用于说明产品定位,不构成对第三方产品的评价或比较结论。

产品安全与使用要求以随货提供的 MSDS 为准。

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官方网站
www.sempurion.com
公司地址
广东 · 东莞 · 松山湖

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