UBM/Cu-Ti 成套种子层蚀刻液
半导体及封装蚀刻/显影

SE-UBM

UBM/Cu-Ti 成套种子层蚀刻液

UBM 种子层成套蚀刻(铜蚀刻 + 钛蚀刻双液)

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技术描述

UBM/Cu-Ti 成套种子层蚀刻液(SE-UBM)是圣普化学面向先进封装 UBM场景开发的蚀刻/显影产品——用于精密图形化加工的蚀刻/显影化学品。技术性能对标芝普,提供国产化替代方案。核心卖点:UBM 种子层成套蚀刻(铜蚀刻 + 钛蚀刻双液)。

主要适用材质/对象:先进封装 UBM。

服务于半导体制造与先进封装产线的良率与洁净度需求。

01

产品简介

SE-UBM 是面向先进封装 UBM 与 TGV / 玻璃基板 RDL 的成套双液种子层蚀刻产品,由铜蚀刻液与钛蚀刻液两支组成,按「先铜后钛」的顺序分步使用。 种子层通常为 Ti / Cu 双层结构(钛层数十至百纳米、铜层亚微米至微米级):铜层适合「氧化 + 酸溶」型体系,钛层必须依靠「氧化 + 破钝化」型体系,两类体系的化学环境互斥,无法合并成一支产品。SE-UBM 因此采用双液分步设计,两步之间以去离子水冲洗隔断。

核心价值:以成套双液把 Cu/Ti 双金属种子层一次蚀净,侧蚀控制在亚微米级,同时对玻璃基材零损伤。

02

产品用途

适用对象
项目说明
适用材质无碱玻璃基板(TGV / 玻璃芯载板)、先进封装 UBM 种子层
适用膜层种子层 Ti(50 – 100 nm)+ Cu(0.5 – 1 μm)
工艺环节
环节说明
种子层溅射后电镀铜填充前的图案化蚀刻(两步:先铜后钛)
电镀铜后去除裸露种子层(闪蚀 / 回蚀)
解决的核心问题

铜是导电层、钛是阻挡层,两者化学响应完全不同:单支蚀刻液同时处理两层,要么钛去不掉(钝化层未破开),要么铜侧蚀失控、图形变形。SE-UBM 把两道工序拆成两支专用产品,并以侧蚀控制与玻璃本体零损伤为设计重点。

03

作用原理

作用说明
① 铜层氧化 + 酸溶以氧化作用先把金属铜转化为可溶态,再由酸性介质溶解带走;酸性环境同时防止铜离子水解钝化,保持蚀刻持续推进
② 侧壁保护控侧蚀保护组分在图形侧壁优先吸附钝化,使侧向蚀刻显著慢于纵向;配合过蚀刻 ≤10%,1 μm 铜膜侧蚀可控制在 0.3 μm 以内
③ 钛层破钝化 + 离子锁定钛氧化后极易形成致密钝化层而停止反应,体系以微量含氟助剂破除钝化层;离子控制组分同步结合溶出的钛离子,防止其在蚀净区再沉积
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技术参数

项目指标说明
产品形态双液成套,分步使用、分别包装铜蚀刻液 + 钛蚀刻液
工作温度30 – 40 ℃两步同温区
铜层处理时间40 – 90 s(1 μm Cu)浸泡 / 喷淋,蚀净即停
铜蚀刻速率1 – 3 μm/min @ 30 – 40 ℃—
钛层处理时间1 – 2 min(Ti 50 – 200 nm)蚀净、玻璃露出即停
钛蚀刻速率0.2 – 0.5 μm/min @ 30 – 40 ℃—
均匀性铜片内 ±5%、钛片内 ±10%(9 点量测)钛膜薄,允许放宽
侧蚀铜 < 0.3 μm(对 1 μm 膜);钛 < 0.5 μm过蚀刻 ≤10%
05

使用说明

工艺流程

① 铜蚀刻:30 – 40 ℃,浸泡 / 喷淋 40 – 90 s(1 μm Cu) ↓ 立即去离子水溢流冲洗 ② 钛蚀刻:30 – 40 ℃,浸泡 1 – 2 min(钛层蚀净、玻璃露出即停) ↓ 去离子水冲洗 ×3 干燥(甩干 / 氮气吹干)→ 电镀铜填充

使用要点
  • ·两步之间必须用去离子水冲洗干净:铜液带入钛液会消耗其氧化作用组分,导致钛蚀刻速率骤降
  • ·铜蚀刻的过蚀刻应控制在 10% 以内,这是侧蚀 < 0.3 μm 的前提
  • ·钛蚀刻终点以目视判断——蚀净后玻璃呈透明、无干涉色;量产建议配置电阻/电位终点检测
使用要点

两步必须在独立槽体/工位进行,避免两液混槽;首次使用建议先小批量试产,确认与现场设备及后续电镀工序的兼容性。

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注意事项与安全

类别说明
材质安全对玻璃基材零蚀刻、对光刻掩模兼容;其他材质建议先验证
氧化性体系含强氧化性组分,须避光、低温、密封储存,禁止与有机物、金属粉末混存
含氟助剂钛蚀刻液含微量含氟助剂,须佩戴护目镜与防护手套、避免吸入与皮肤接触
强酸操作酸性体系,稀释时务必「酸入水」并搅拌散热,禁止「水入酸」
个人防护佩戴防护手套、护目镜与防溅面罩
不慎接触立即用大量清水冲洗至少 15 分钟并就医
废液处理含氟废液须以钙盐沉淀后按当地环保法规处置,禁止直排
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包装与储存

项目内容
包装形式双液分别包装,按套供应(铜蚀刻液 / 钛蚀刻液各一支)
储存条件室温、密封、避光
容器要求建议使用 PP 类容器,避光密封保存
有效期3 个月(原封,氧化性体系)
使用期限开盖后按现场批次使用,避免长时间敞口存放
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产品优势

1

成套交付

铜、钛两支按套供应,客户无需分别选型、分别验证兼容性;

2

侧蚀控制

铜侧蚀 < 0.3 μm(对 1 μm 膜),过蚀刻 ≤10%,适配 RDL 细线化要求;

3

基材安全

对玻璃本体零蚀刻(称重无失重)、掩模胶不溶胀不脱落;

4

安全路线 + 对标进口

钛蚀刻液不含高毒含氟酸本体(仅微量含氟助剂催化,废液以钙盐沉淀处理);对标芝普 UBM / 种子层蚀刻系列,本地化服务更有优势

声明 / Statement

本资料所载技术参数基于本公司内部测试与行业公开标准整理,实际使用效果受现场工艺条件影响,具体选型请以实测数据为准。

对标信息基于公开产品资料整理,仅用于说明产品定位,不构成对第三方产品的评价或比较结论。

产品安全与使用要求以随货提供的 MSDS 为准。

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公司地址
广东 · 东莞 · 松山湖

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