清洗效果对比
划片后硅片表面对比照
- 对照组（未用划片液）：表面粉尘堆积、划道不清，残留可能影响后道（黏合/分层风险）。
- 使用 SEM-1000：划道清晰、表面洁净无尘，显微无颗粒，清洗分散性佳。
技术描述
SEM-2000 是圣普化学在 SEM-1000 基础上推出的新一代高倍稀释半导体晶圆划片液，功能与 SEM-1000 完全一致——集清洗、润滑、防腐蚀、冷却于一体。其突出优势是支持高倍稀释使用（推荐 1:2000），在保持同等清洗与保护性能的前提下进一步降低单位使用成本，适合用水量大的量产划片场景。
高效表面活性剂快速润湿并分散微米级碎屑，防止二次附着划伤；润湿铺展在刀片/晶圆界面成润滑膜，降低摩擦与崩边、微裂；专用复合缓蚀体系对金属布线与焊盘形成电化学钝化保护；稀释后工作液电导稳定 <150µS/cm，兼顾高洁净与低腐蚀风险。
该产品可按产线工艺定制浓度与包装，支持稳定国产化供应。
00
划片工艺为什么需要专用划片液
划片是封装的关键工序。随着线宽变小、晶圆更薄，高速刀片切割带来的颗粒、热量与应力成为三大工艺挑战。
01
颗粒污染
切割产生的微米级硅粉易粘附晶圆表面，残留会导致失效或可靠性下降。
02
热损伤与应力
刀片高速旋转产生局部高温与机械应力，可能引发微裂纹、分层等不可逆损伤。
03
金属腐蚀风险
晶圆表面金属布线在加工水中易发生电化学腐蚀，断线并显著降低良率。
划片液由此承担核心角色：高效冷却 · 润滑 · 清洗与防腐蚀四效一体，是精度制程的品质保证。
A
新一代高效划片液解决方案
SEM-2000 面向晶圆高精度划片，以先进表面活性剂与功能助剂提供“清洗+润滑+防锈防腐蚀”一站式方案，为精密制造带来良率与品质承诺。
提升良率
强清洗与润滑降低微裂纹与残留颗粒风险
品质保障
长效防腐，恶劣工况防电化学腐蚀、表现稳定
综合降本
配方科学、使用效率高，摊薄综合成本
简便易用
稀释即可，快捷导入现有产线、兼容性好
B
四大技术优势
01
优异清洗分散
高效表面活性剂降低表面张力，快速渗入切割区并包裹硅粉，防止其在切割路径上再沉积。
02
优良润湿与润滑
在刀片/晶圆界面快速成保护膜，减小摩擦，显著降低晶圆边缘损伤与微裂纹。
03
出色防腐蚀
内置复合缓蚀剂优先吸附金属表面，阻断水汽与氧接触，打断电化学腐蚀通路。
04
低电导 · 高安全
稀释后工作液电导稳定<150 µS/cm，最大化降低腐蚀风险，给精密芯片额外安全。
C
真实产线 · 长期验证
SEM-2000 已在多家半导体与先进封装划片产线经数年连续批产验证，完成从实验室到大批量工业产线的关键一跃。
长期稳定
大批量连续生产下性能始终如一，验证期内无因本品导致的品质波动或产线异常停机。
客户认可
通过严格的供应商准入与批次检验，持续监控表现优异，成为划片液核心稳定供应商。
批产检验
不仅通过实验室标准，更在复杂真实的工业批产环境中验证了工艺兼容与实用价值。
01
技术参数
| 外观 | 清澈至微浑浊的液体（25 ℃） |
| 密度 | ≈1.0 g/cm³ (25 °C) |
| 电导率（1:200 去离子水稀释） | < 150 µS/cm |
| 推荐稀释比 | 1:2000（纯水/去离子水，高倍稀释） |
| 核心作用 | 润湿降张 · 防腐蚀 · 分散硅粉，综合提升划片良率与外观 |
| 标准包装 | 1 gal（≈3.78 L）桶 / 1000 kg IBC，支持定制 |
| 有效期 | 90 天（密封、阴凉干燥储存） |
02
性能验证
腐蚀与相容性测试
浸泡前/8 h 显微对照
- 条件：芯片以 1:500 稀释液浸泡 8 h（模拟极端长时接触）。
- 结果：金属线路、焊盘与基板洁净完好，无点蚀、氧化或损伤，浸泡前后显微一致。
03
应用指南 · 包装与服务
推荐使用方法
稀释：以去离子水按比例稀释（推荐 1:2000）并搅匀，避免局部浓度差。
搅拌：机械或磁力搅拌混匀后使用。
喷淋与维护：经划片机喷淋系统使用；每日核查浓度与洁净度，定期更换保持性能。
包装规格
标准包装：密封 1 gal（≈3.78 L）塑料桶 · 研发与小批量
工业包装：1000 kg 标准 IBC · 大批量，降物流与运营成本
定制服务：5 gal / 200 L 等可依产线储运需求定制
技术咨询 · 免费样品测试 · 售后支持
产品简介
新一代高倍稀释半导体晶圆划片液（SEM-2000）是圣普化学面向半导体晶圆与先进封装高精度划片/切割(含硬脆材料)，亦用于划片后段漂洗开发的载具/晶圆产品。产品核心优势：清洗·润滑·防腐蚀·冷却 四效合一；独特配方支持高倍稀释（1:2000）使用，低成本高效，功能与 SEM-1000 一致。技术上对标对标新加坡 Keteca Diamaflow 388BL —— 支持高倍稀释（1:2000）的低碳高效体系，提供国产化替代，提供国产化替代选择。产品特点：界面活性剂强润湿降表面张力，吸附并悬浮分散微米级芯片碎屑，防二次附着划伤；在刀片-晶圆界面铺展成膜，显著降低摩擦与微裂/崩边；划片后残渣易被去离子水冲净，表面洁净光洁；复合缓蚀剂对金属布线与焊盘形成电化学钝化保护，浸泡不腐蚀；稀释后近中性、低离子，适配高洁净划片环境。适用材质：晶圆/芯片(硅及化合物半导体)、金属布线/焊盘。典型工艺：按去离子水高倍稀释使用，推荐 1:2000（可按工艺微调）；划片机喷淋/漂洗，常温使用；稀释液电导 <150µS/cm；密封、阴凉、避光。
产品参数速览
对标竞品
对标新加坡 Keteca Diamaflow 388BL —— 支持高倍稀释（1:2000）的低碳高效体系，提供国产化替代
适用场景
半导体晶圆与先进封装高精度划片/切割(含硬脆材料)，亦用于划片后段漂洗
适用材质
晶圆/芯片(硅及化合物半导体)、金属布线/焊盘
产品特点
界面活性剂强润湿降表面张力，吸附并悬浮分散微米级芯片碎屑，防二次附着划伤；在刀片-晶圆界面铺展成膜，显著降低摩擦与微裂/崩边；划片后残渣易被去离子水冲净，表面洁净光洁；复合缓蚀剂对金属布线与焊盘形成电化学钝化保护，浸泡不腐蚀；稀释后近中性、低离子，适配高洁净划片环境
工艺参数与使用说明
按去离子水高倍稀释使用，推荐 1:2000（可按工艺微调）；划片机喷淋/漂洗，常温使用；稀释液电导 <150µS/cm；密封、阴凉、避光
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