半导体及先进封装解决方案
面向半导体前道晶圆制造与先进封装的载具清洗、晶圆制程、TGV 玻璃基板与金属蚀刻，提供覆盖清洗—蚀刻—显影全链路的电子级化学品。
工艺流程
载具与晶圆盒清洗
FOUP/FOSB 及光罩盒在循环使用中会积累颗粒、有机物与金属离子污染。根据材质（PC/PEI/PFA）与污染类型选择中性、微碱或强碱清洗剂，兼顾去污力与载具材质安全。
FOUP/FOSB 颗粒去除专用预清洗剂：浓缩液 1:4 稀释即用，中性 pH 6.5–7.5，50–65℃ 化学清洗 3–8 分钟，喷淋无泡（<5mm）
晶澈系列核心产品：FOUP/FOSB 有机污染物与 VOC 去除主力，1:4 稀释，pH 8.5–9.5，55–75℃ 清洗 5–10 分钟，HSP 验证 RED=0.59
PEI ESD 材质高温 FOUP 专用清洗剂：1:4 稀释，pH 9.5–10.5，70–90℃ 清洗 5–10 分钟（不适用于 PC ESD 材质）
PFA/PTFE/Teflon 晶舟盒与清洗篮强碱清洗：1:9 稀释，pH 12.8–13.2，70–100℃ 清洗 5–15 分钟，喷淋/浸泡/超声波均可
光罩盒 / 光罩储存盒专用中性清洗液：1:4 稀释（推荐 UPW），pH 6.5–7.5，40–60℃ 清洗 5–10 分钟，GLDA+EDTA 双重螯合防 Haze
晶圆制程清洗
覆盖划片后蓝膜残胶去除、CMP 后清洗、干蚀刻残渣去除、光刻后边缘清洗、电镀后清洗、减薄后清洗等关键工序，按残留类型匹配弱碱或溶剂体系。
TGV 玻璃基板制程
面向玻璃通孔（TGV）与玻璃基板：成孔蚀刻、通孔内清洗、表面改质、种子层蚀刻一站式配套，兼容激光改性热碱路线与超声/喷淋工艺。
金属蚀刻与显影
提供钛/钼/钌/钨等先进封装互连金属蚀刻液与 RDL 显影液，高选择性、低侧蚀，配合缓蚀组分保护细线图形。
常见问题
客户在选型时最常问的问题——按问题查看技术要点与对应产品。
半导体 FOUP / FOSB 载具清洗药剂怎么选型？
选型先看载具材质（PC ESD / CBM ESD / PEI ESD，耐温与耐碱不同），再看污染物（颗粒 / 有机物 / 离子 / 光刻胶残留）。晶澈 SP-Clear 系列按此分档：预洗型、有机去除型、高温型、PFA 专用、光罩专用共 5 款。
查看回答 →Post-CMP 晶圆清洗如何不伤 Cu/W 布线？
要点是「弱碱窗口 + 金属离子捕获」：过强的碱或过强的结合能力都会攻击铜。PCMP-100 在弱碱窗口内（工作液 pH 9.0–9.8）清洗，清洗后验收目标 ≥0.16 μm 颗粒 < 0.1 颗/cm²、Na/Cu/Fe 残留 < 10 ppb。
查看回答 →晶圆减薄后清洗的国产替代方案？
减薄（BG / 研磨）后清洗可用按行业 SC1 体系改良的 TW-100：双组分 5X 浓缩，A:B:DI 水 = 1:1:5 现配现用，40–60 ℃ 清洗 5–10 分钟，验收目标 ≥0.3 μm 颗粒 < 100 颗/片、Fe/Cu/Zn < 10 ppb。
查看回答 →TGV 玻璃通孔蚀刻用什么药液？含氟路线和热碱路线怎么选？
按「飞秒激光改性 + 热碱选择性蚀刻」路线可用 GE-K1：110±5 ℃ 热碱液，改性区被选择性掏空成通孔，本体玻璃几乎不蚀，最直接的优势是不使用剧毒含氟酸（职业健康与废液管理负担显著更低）。
查看回答 →需要技术支持或样品？
把您的基材、污染物与工艺条件告诉我们，工艺工程师将给出选型建议并安排样品验证。
- 联系电话
- +86 769-82786068
- 公司地址
- 广东 · 东莞 · 松山湖