钼蚀刻液
Semiconductor & PackagingEtching / Developing

ET-Mo

钼蚀刻液

Mo 互连新型金属蚀刻,下一代制程卡位

Technical Description

钼蚀刻液(ET-Mo)是圣普化学面向先进封装/晶圆场景开发的蚀刻/显影产品——用于精密图形化加工的蚀刻/显影化学品。技术性能对标关东化学,提供国产化替代方案。核心卖点:Mo 互连新型金属蚀刻,下一代制程卡位。

主要适用材质/对象:先进封装/晶圆。

服务于半导体制造与先进封装产线的良率与洁净度需求。

Introduction

钼蚀刻液 (ET-Mo) is developed by SEMPURION for 先进封装/晶圆 as a 蚀刻/显影 product.Key advantage: Mo 互连新型金属蚀刻,下一代制程卡位. Benchmarked against 关东化学 as a domestic alternative. Key features: 经典 PAN 钼蚀刻工艺路线——氧化剂将钼氧化后经酸溶转化为可溶钼盐,控制侧蚀,另备对铝兼容的温和氧化型体系,用于 Mo/Al/Mo 三层结构(主体系会蚀铝,三层结构须选用兼容型). Typical process: 主体系:30-40°C 浸泡(搅拌/摇晃)1-2min(0.5μm 钼层),蚀净即停 → DI 水溢流冲洗 ×3 → 50°C 热水快洗除酸残留,温和备选体系:30°C 浸泡 3-10min 加搅拌.

Quick Specs

Benchmark
关东化学
Application
先进封装/晶圆
Materials
先进封装/晶圆

Features

经典 PAN 钼蚀刻工艺路线——氧化剂将钼氧化后经酸溶转化为可溶钼盐,控制侧蚀,另备对铝兼容的温和氧化型体系,用于 Mo/Al/Mo 三层结构(主体系会蚀铝,三层结构须选用兼容型)

Process & Usage

主体系:30-40°C 浸泡(搅拌/摇晃)1-2min(0.5μm 钼层),蚀净即停 → DI 水溢流冲洗 ×3 → 50°C 热水快洗除酸残留,温和备选体系:30°C 浸泡 3-10min 加搅拌

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