SE-UBM
UBM/Cu-Ti 成套种子层蚀刻液
UBM 种子层成套蚀刻（铜蚀刻 + 钛蚀刻双液）
Technical Description
UBM/Cu-Ti 成套种子层蚀刻液（SE-UBM）是圣普化学面向先进封装 UBM场景开发的蚀刻/显影产品——用于精密图形化加工的蚀刻/显影化学品。技术性能对标芝普，提供国产化替代方案。核心卖点：UBM 种子层成套蚀刻（铜蚀刻 + 钛蚀刻双液）。
主要适用材质/对象：先进封装 UBM。
服务于半导体制造与先进封装产线的良率与洁净度需求。
Introduction
UBM/Cu-Ti 成套种子层蚀刻液 (SE-UBM) is developed by SEMPURION for 先进封装 UBM as a 蚀刻/显影 product.Key advantage: UBM 种子层成套蚀刻（铜蚀刻 + 钛蚀刻双液）. Benchmarked against 芝普 as a domestic alternative. Key features: 双液分步蚀刻设计（铜蚀刻液 + 钛蚀刻液）——铜走氧化+酸溶路线，钛走氧化剂+含氟助剂路线，两类体系互斥，必须分步蚀刻，对玻璃基材蚀刻近零（称重无失重），钛蚀刻液不含高毒含氟酸，仅以微量含氟助剂催化反应. Typical process: 铜蚀刻：30-40°C 浸泡/喷淋 40-90s（1μm Cu）→ 立即 DI 水溢流冲洗，钛蚀刻：30-40°C 浸泡 1-2min（钛层蚀净，玻璃露出即停）→ DI 水冲洗 ×3，两步之间必须 DI 冲洗干净.
Quick Specs
Features
双液分步蚀刻设计（铜蚀刻液 + 钛蚀刻液）——铜走氧化+酸溶路线，钛走氧化剂+含氟助剂路线，两类体系互斥，必须分步蚀刻，对玻璃基材蚀刻近零（称重无失重），钛蚀刻液不含高毒含氟酸，仅以微量含氟助剂催化反应
Process & Usage
铜蚀刻：30-40°C 浸泡/喷淋 40-90s（1μm Cu）→ 立即 DI 水溢流冲洗，钛蚀刻：30-40°C 浸泡 1-2min（钛层蚀净，玻璃露出即停）→ DI 水冲洗 ×3，两步之间必须 DI 冲洗干净
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